producten

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 is een geïntegreerd gate-commutated thyristor (IGCT)-product van ABB, behorend tot de 5SHY-serie.

IGCT is een nieuw type elektronisch apparaat dat eind jaren negentig op de markt kwam.

Het combineert de voordelen van IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) en GTO (Gate Turn-Off Thyristor) en heeft de kenmerken van een hoge schakelsnelheid, grote capaciteit en een groot benodigd aandrijfvermogen.

De capaciteit van 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 is specifiek gelijk aan die van GTO, maar de schakelsnelheid is 10 keer sneller dan die van GTO, wat betekent dat de schakelactie in een kortere tijd kan worden voltooid en dus de omzettingsefficiëntie kan worden verbeterd.

Bovendien kan IGCT, vergeleken met GTO, besparen op het enorme en ingewikkelde snubbercircuit, wat het systeemontwerp vereenvoudigt en de kosten verlaagt.

Er dient echter opgemerkt te worden dat IGCT weliswaar veel voordelen biedt, maar dat het benodigde aandrijfvermogen nog steeds groot is.

Dit kan het energieverbruik en de complexiteit van het systeem verhogen. Bovendien ondervindt IGCT, hoewel het GTO probeert te vervangen in toepassingen met een hoog vermogen, nog steeds hevige concurrentie van andere nieuwe apparaten (zoals IGBT).

5SHY4045L00013BHB018162R0001 Geïntegreerde gate-commuteerde transistors | GCT (Intergrated Gate-commuteerde transistors) is een nieuw halfgeleiderapparaat dat in grote vermogenselektronica wordt gebruikt en in 1996 op de markt kwam.

IGCT is een nieuw, krachtig halfgeleiderschakelapparaat op basis van GTO-structuur, dat gebruikmaakt van een geïntegreerde gate-structuur voor gate-harde schijven, een buffer-middle-laagstructuur en anode-transparante emittertechnologie, met de aan-toestandkarakteristieken van de thyristor en de schakelkarakteristieken van de transistor.

5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 maakt gebruik van een bufferstructuur en ondiepe emittertechnologie, waardoor het dynamische verlies met ongeveer 50% wordt verminderd.

Bovendien integreert dit type apparatuur een vrijloopdiode met goede dynamische eigenschappen op een chip, en realiseert vervolgens op unieke wijze de organische combinatie van de lage spanningsval in ingeschakelde toestand, de hoge sperspanning en de stabiele schakelkarakteristieken van de thyristor.